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常用失效分析方法

深度解析半导体与电子行业常用的失效分析技术,涵盖SEM、ED...

常用失效分析方法

在失效分析的实战环节中,选择合适的分析工具如同医生选择诊疗仪器一样关键。随着微电子技术的飞速发展,器件特征尺寸不断缩小,对分析技术的分辨率、灵敏度及非破坏性提出了更高要求。掌握常用失效分析方法的原理与适用场景,能够帮助工程师在面对复杂失效案例时,迅速制定最优测试方案,从而高效锁定故障根源。

形貌观察技术:看见微观世界

形貌观察是失效分析中最基础也是最直观的手段,主要用于观察样品表面的物理结构、裂纹、熔融痕迹等。

扫描电子显微镜(SEM)

SEM利用高能电子束扫描样品表面,通过收集二次电子或背散射电子成像。其优势在于高分辨率(可达纳米级)和大景深,能够清晰呈现微米甚至纳米级别的微观形貌。在失效分析中,SEM常用于观察断口形貌、金属互连断裂、电迁移空洞以及ESD击穿点。

光学显微镜(OM)

虽然分辨率不及SEM,但光学显微镜在初步检查中不可或缺。它操作简便、视野广阔,适合快速筛查大面积缺陷,如封装裂纹、引脚腐蚀、焊点异常等。配合偏振光或微分干涉对比技术,还能观察到应力分布和细微的表面起伏。

成分分析技术:识别物质组成

当发现异常形貌后,往往需要知道“它是什么”,这时成分分析技术便派上用场。

技术手段 原理简述 主要应用
能量色散X射线谱(EDS) 检测特征X射线能量,确定元素种类及含量 异物成分分析、焊料成分确认、腐蚀产物鉴定
X射线光电子能谱(XPS) 分析表面元素化学态及价键结构 氧化层厚度测量、表面污染分析、界面反应研究
傅里叶变换红外光谱(FTIR) 基于分子振动吸收光谱,识别有机官能团 封装材料鉴定、助焊剂残留分析、聚合物老化研究

EDS通常与SEM联用,实现形貌与成分的同步分析,是失效分析实验室的标配组合。而XPS和FTIR则更多用于表面化学状态和有机材料的深入剖析。

内部结构探测技术:透视黑盒

对于封装完整的器件,无损探测内部结构是避免破坏性分析前的重要步骤。

X射线透视(X-Ray)

利用X射线穿透不同密度材料时的衰减差异成像。X-Ray能够清晰显示引线键合(Wire Bonding)、倒装芯片(Flip Chip)焊球、内部裂纹及空洞等结构。它是评估焊接质量和内部机械完整性的首选无损检测手段。

超声波扫描显微镜(C-SAM/SAT)

利用高频超声波在材料界面反射的特性,检测分层、空洞及裂纹。C-SAM对塑料封装内的分层极其敏感,特别适合检测Die Attach(晶片粘接)界面的空洞率以及塑封料与引线框架之间的结合质量。

电路编辑与截面制备技术

当需要观察内部特定层级或进行电路修改时,精密加工技术必不可少。

聚焦离子束(FIB)

FIB利用聚焦的高能离子束对样品进行微纳加工,既能切割出高质量的截面用于TEM观察,又能进行电路修改(如切断连线、沉积金属连接)。它在失效定位后的验证及反向工程中具有不可替代的作用。

机械研磨与抛光

传统的截面制备手段,适用于较大尺寸的PCB或封装体。通过逐级研磨和抛光,暴露内部横截面,配合光学或电子显微镜观察多层结构。

热点定位技术:捕捉瞬态异常

对于漏电、短路等电学失效,直接观察往往难以发现缺陷,需借助光子或热信号定位。

  • 发射显微镜(EMMI):捕捉器件工作时发出的微弱光子,定位栅氧化层击穿、结漏电等发光缺陷。
  • 光束诱导电阻变化(OBIRCH):利用激光扫描引起电阻变化,定位高阻缺陷、金属开路或接触不良。
  • 锁相热显微镜(LIT):通过检测调制电流产生的热波,定位低功耗下的短路点。

总结

常用失效分析方法构成了一个多层次、多维度的技术体系。从宏观的光学检查到微观的SEM/EDS分析,从无损的X-Ray/C-SAM到精密的FIB加工,每种方法都有其独特的优势和适用范围。工程师需根据失效现象和分析阶段,灵活组合这些技术手段,形成完整的证据链,从而准确揭示失效机理。

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